DDR4 記憶體的未來新趨勢!
克服伺服器的最大限制之一:記憶體。從網際網路、雲端運算、虛擬化到 HPC、還有大數據等趨勢以來,記憶體的伺服器應用程式需要越來越高的記憶體密度,以及更高的效能水準,遠遠超過目前 DDR3 技術所能達到的程度。接入 Crucial® DDR4 伺服器記憶體。
2 倍速度
處理資料更快速,以及提供高達 17 GB/s 的雙倍記憶體頻寬。與 DDR3 的 1066 MT/s 入門級速率相比,Crucial DDR4 記憶體的入門資料速率從 2133 MT/s 起跳,並且會隨著技術進步而變得更快。Crucial DDR4 內存還提供更快的爆發存取速度,藉由利用 DDR4 技術獨有的四通道內存架構,提高了連續數據吞吐量。
2 倍容量
透過將記憶體容量翻倍來最大化系統效能。隨著 DDR4 記憶體技術的進步,它能將您的伺服器記憶體容量翻倍,同時更充分地利用每個模組,以及您的整個網路。Crucial DDR4 記憶體採用先進技術,使每個組件能容納更多 GB,更高密度的組件設計,使我們能夠提供密度高達兩倍的 DDR4 模組。
能源效率最多可提升 40%
減少電力和冷卻費用。Crucial DDR4 記憶體使用的電壓比 DDR3 還要低 20%,而且與標準 DDR3 伺服器記憶體的 1.5V 相比,它只需 1.2V 即可運作。結合 DDR4 記憶體架構的附加節能特徵,Crucial DDR4 記憶體與標準 DDR3 技術相比可節省高達 40% 的能源。而且,由於每個模組產生的熱量更少,保持系統冷卻更簡單。
增強雲端運算、大數據、HPC 等
對於依賴記憶體的伺服器應用程式,如虛擬化、雲端運算、大數據和 HPC,Crucial DDR4 伺服器記憶體是一種能增加記憶體頻寬和容量,同時也能降低電費的理想方案。由於記憶體通常是作為固定(非共用)元件,因此它是資料中心效能的最大限制之一。最大化 DDR4 記憶體容量,並實現嶄新一代效能與效率。Crucial DDR4 記憶體已針對 Intel® Xeon® 處理器 E5-2600 v3 產品系列最佳化,可讓您輕鬆處理各種類型的企業工作。
DDR4 Crucial 伺服器記憶體簡介
ECC UDIMM |
RDIMM / VLP RDIMM |
LRDIMM |
|
---|---|---|---|
應用程式/伺服器市場區隔 |
網站代管 |
HPC |
大數據 |
優勢 |
最佳經濟效益 |
最大供貨量與穩定供應能力 |
最大伺服器容量 |
模組規格 |
4GB、8GB 與 16GB 密度2 |
4GB - 128GB 密度2 (RDIMM) |
16GB - 128GB 密度2 |
DDR3 與 DDR4
效能/選項 |
DDR3 |
DDR4 |
DDR4 優勢 |
---|---|---|---|
電壓(核心和 I/O) |
1.5V |
1.2V |
降低記憶體的電力需求 |
低電壓標準 |
支援 |
預期 |
降低記憶體耗能 |
資料速率(Mb/s) |
800、1066、1333、1600、1866、2133 |
1600、1866、2133、2400、2667、32002 |
移轉至更高速的 I/O |
元件密度 |
512MB-8GB |
2GB-16GB2 |
更能實現大容量記憶體子系統的需求 |
模組密度 |
512MB-64GB |
2GB-128GB2 |
提升每個系統的全模組密度 |
內部記憶庫 |
8 |
16 |
更多記憶庫 |
Crucial DDR4 伺服器記憶體2
產品編號 |
模組類型 |
密度 |
速度 |
Rank |
電壓 |
元件組態 |
CAS 延遲 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CT8G4TFD8213 |
ECC SODIMM 260-pin |
8GB |
2133MT/s |
雙面 |
1.2V |
512M x 8 |
CL15 |
CT4G4WFS8213 |
ECC UDIMM 288-pin |
4GB |
2133MT/s |
單面 |
1.2V |
512M x 8 |
CL15 |
CT8G4WFD8213 |
ECC UDIMM 288-pin |
8GB |
2133MT/s |
雙面 |
1.2V |
512M x 8 |
CL15 |
CT4G4RFS8213 |
RDIMM 288-pin |
4GB |
2133MT/s |
單面 |
1.2V |
512M x 8 |
CL15 |
CT8G4RFS4213 |
RDIMM 288-pin |
8GB |
2133MT/s |
單面 |
1.2V |
1024M x 4 |
CL15 |
CT16G4RFD4213 |
RDIMM 288-pin |
16GB |
2133MT/s |
雙面 |
1.2V |
1024M x 4 |
CL15 |
CT32G4LFQ4213 |
LRDIMM 288-pin |
32GB |
2133MT/s |
四面 |
1.2V |
1024M x 4 |
CL15 |
CT8G4VFS4213 |
VLP RDIMM 288-pin |
8GB |
2133MT/s |
單面 |
1.2V |
1024M x 4 |
CL15 |
CT16G4VFD4213 |
VLP RDIMM 288-pin |
16GB |
2133MT/s |
雙面 |
1.2V |
1024M x 4 |
CL15 |
- 終身有限保固適用於全世界各個國家/地區,但德國與法國除外(保固期限為購買日期後十年)。注意:比較 DDR3 和 DDR4 產品問世時的記憶體技術後,可發現在效能和效率上有明顯改善。DDR3-1066 所需電壓為 1.5V,估計元件密度為 8Gb;相較之下,DDR4-2133 所需電壓為 1.2V,估計元件密度為 16Gb。考慮到電壓下降以及 DDR4 的所有其他節能特徵,DDR4 模組預計能減少高達 40% 的電力消耗。
- 注意:並非所有表列之密度與速度皆於發布時即可供應。DDR4 密度與速度將隨著 DDR4 技術漸趨成熟後增加。
- 若您使用我們的相容性工具
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