什麼是記憶體時序？

談到記憶體效能時，多數人通常想到的是記憶體模組速度。模組速度是一種表示傳輸能力的測量值，像是：DDR2 800MHz、DDR3 1600MHz，與 DDR4 2400MHz（或 MT/s）。時序則決定記憶體能多快回應執行動作的要求。

在查看記憶體時序的時候，其通常以數字格式顯示，如 9-9-9-24 即為一般 DDR3 記憶體時序的範例。下方表格顯示一部分不同類型 DDR 記憶體的標準時序。

時序通常可分成四個數值：CAS 延遲 (CL)，行至列延遲 (tRCD)，行脈衝預充電時間 (tRP)，與行選通延遲 (tRAS)。若您發現 tRAS 內並沒有 DDR4，是因為此值已透過新的記憶體技術併入另一數字，因此不再適用。

記憶體最常使用的時序是 CAS 延遲。此數值通常與效能 息息相關。但有時也容易 遭人誤解。由於 CAS 延遲代表記憶體對新資訊快速做出反應的能力，多數人會覺得此數值越低越好。 然而，新型記憶體通常會比同款舊型具備更高的 CAS 延遲時間，因此這點不完全正確。 

為何新型記憶體的延遲時間更高？在不同時序中，有一項參數叫週期時間。此測量值可反映記憶體在多短時間內可就緒，以接受一連串新的指令。新的記憶體類型，像是 DDR4，其週期時間顯著地少於舊型記憶體。如下圖所示，其代表真實延遲（真實速度）快得多了。若您想瞭解更多關於速度與延遲的關係，請參閱 這篇深入探討的文章。

在絕大多數情況下，您無須擔心記憶體時序。只要您購買的是 Crucial® Advisor™ 工具或 系統掃描器工具 顯示為相容的記憶體，就能確保使用的記憶體與系統相容。除非是您選購了高效能 Ballistix® 產品，以打造自訂的系統。部分 CPU 支援的記憶體速度和延遲有所限制，最好在選購任何高階記憶體之前，事先檢查您 CPU 支援的最大記憶體速度。若有任何其他問題，請聯絡 Crucial 支援。