記憶體時序是一組數值,定義記憶體模組回應指令的速度,影響其處理任務的效率。雖然大多數人在討論效能時,往往關注記憶體模組速度,例如 1600MHz 的 DDR3、2400MHz 的 DDR4 或 4800MHz 的 DDR5(MT/s),但時序在確定記憶體對請求和執行動作的反應速度方面發揮關鍵作用。 1600MHz, DDR4
當我們查看記憶體時序時,通常以數字格式顯示;9-9-9-24 是通用 DDR3 記憶體時序的範例。下表顯示不同 DDR 記憶體類型的一些標準時序。
版本 | CL | tRCD | tRP | tRAS |
|---|---|---|---|---|
DDR2 | 5 | 5 | 5 | 15 |
DDR3 | 9 | 9 | 9 | 24 |
DDR4 | 16 | 16 | 16 | 不適用 |
DDR5 | 36 | 36 | 36 | 不適用 |
時序通常分為四個值:
CAS 延遲(CL):這是記憶體模組應記憶體控制器要求準備資料所需的時間
行列延遲(tRCD):記憶體就緒後讀取記憶體所需的時間
行預充電時間(tRP):記憶體準備好使用資料所需的時間
行活動時間(tRAS):為確保位於行位址內的資料可讀取,啟動行位址所需的最低時間
如果您公告上表缺少 DDR4 和 DDR5 的 tRAS 價值,這是因為 tRAS 價值已不再相關,因為它與較新的記憶體技術合併為另一個號碼。
記憶體最廣受認可的時序是 CAS(直欄位址頻段)延遲,因為該價值通常與效能同義。然而,這個號碼有時可能會誤導人。
大多數人認為較低的 CAS 延遲會自動改善,因為此價值是您記憶體快速回應資訊的能力。儘管較新的記憶體類型通常具有比上一代產品高出許多的 CAS 延遲時間,但這並不完全準確。
為什麼新的記憶體類型延遲時間較慢? 除了不同的時序外,還有一個稱為時脈生產週期的屬性。這是一個測量值,反映記憶體為新的指令組合準備的速度。新的記憶體類型,如 DDR5,其時脈週期比上一代要快得多。
如下圖所示,這實際上意味著真實延遲(真實速度)要快得多。如果您想瞭解更多關於速度與延遲的資訊,請查看 RAM 速度與 CAS 延遲之間的差異。
CL | tRCD | tRP | tRAS |
|---|---|---|---|
這是記憶體模組應記憶體控制器要求準備資料所需的時間 | 記憶體就緒後讀取記憶體所需的時間 | 記憶體準備好使用資料所需的時間 | 為確保位於行位址內的資料可讀取,啟動行位址所需的最低時間 |
技術: | 模組速度 (MT/s) | 週期時間 (ns) | CAS 延遲(CL) | 真實延遲(ns) |
|---|---|---|---|---|
DDR2 | 667 | 3.00 | 5 | 14.99 |
DDR2 | 800 | 2.50 | 6 | 15.00 |
DDR3 | 1333 | 1.50 | 9 | 13.50 |
DDR3 | 1600 | 1.25 | 11 | 13.75 |
DDR4 | 1866 | 1.07 | 13 | 13.93 |
DDR4 | 2133 | 0.94 | 15 | 2006 年 14 月 |
DDR4 | 2400 | 0.83 | 17 | 14.17 |
DDR4 | 2666 | 0.75 | 18 | 13.50 |
DDR5 | 4800 | 0.41 | 34 | 14.17 |
DDR5 | 6400 | 0.31 | 40 | 12.50 |
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在大多數情況下,您不必擔心記憶體時序。只要購買 Crucial 升級選擇器或系統掃描器工具顯示與電腦相容的記憶體,就能確保記憶體與系統相容。部分 CPU 的記憶體速度和延遲會受到限制,因此最好先檢查 中央處理器 的最大記憶體速度,然後再與任何高階記憶體配對。
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