什麼是記憶體時序?

談到記憶體效能時,多數人通常想到的是記憶體模組速度。模組速度是一種表示傳輸能力的測量值,像是:DDR2 800MHz、DDR3 1600MHz,與 DDR4 2400MHz(或 MT/s)。時序則決定記憶體能多快回應執行動作的要求。

若把記憶體當成一台賽車,模組速度(MH/z)就像是引擎馬力,而時序則是賽車手。當賽車手在過彎和賽道障礙處理上越流暢,車子就能跑得越快,若其表現(時序)比擁有更大馬力的車手更好,其速度甚至可以超越後者。

在查看記憶體時序的時候,其通常以數字格式顯示,如 9-9-9-24 即為一般 DDR3 記憶體時序的範例。下方表格顯示一部分不同類型 DDR 記憶體的標準時序。

版本

CL

tRCD

tRP

tRAS

DDR2

5

5

5

15

DDR3

9

9

9

24

DDR4

16

16

16

不適用

時序通常可分成四個數值: CAS 延遲(CL),行至列延遲(tRCD),行脈衝預充電時間(tRP), 與 行選通延遲(tRAS)。 若您發現 tRAS 內並 沒有 DDR4,是因為此值已透過新的記憶體技術併入另一 數字,因此不再適用。

CL

tRCD

tRP

tRAS

這是收到記憶體控制器的要求後,記憶體模組準備資料所需要的時間

這是在記憶體就緒後,讀取記憶體所需要的時間

這是記憶體讓新的行位址就緒,以使用資料所需要的時間

為確保位於行位址內的資料可讀取,啟動行位址所需的最低時間

記憶體最常使用的時序是 CAS 延遲。此數值通常與效能 息息相關。但有時也容易 遭人誤解。由於 CAS 延遲代表記憶體對新資訊快速做出反應的能力,多數人會覺得此數值越低越好。 然而,新型記憶體通常會比同款舊型具備更高的 CAS 延遲時間,因此這點不完全正確。 

為何新型記憶體的延遲時間更高? 在不同時序中,有一項參數叫週期時間。此測量值可反映記憶體在多短時間內可就緒,以接受一連串新的指令。新的記憶體類型,像是 DDR4,其週期時間顯著地少於舊型記憶體。如下圖所示,其代表真實延遲(真實速度)快得多了。若您想瞭解更多關於速度與延遲的關係,請參閱這篇深入探討的文章。

技術

模組速度(MT/s)

週期時間(ns)

CAS 延遲(CL)

真實延遲(ns)

SDR

10E

8.00

3

24.00

SDR

133

7.50

3

22.50

DDR

335

6.00

2.5

15.00

DDR

40B

5.00

3

15.00

DDR2

667

3.00

5    

15.00

DDR2

800

2.50

6

15.00

DDR3

1333

1.50

9

13.5

DDR3

160B

1.25

11

13.75

DDR4

1866

1.07

13

13.93

DDR4

2133

0.94

15

14.06

DDR4

2400

0.83

17

14.17

DDR4

2666

0.75

18

13.50

在絕大多數情況下,您無須擔心記憶體時序。只要您購買的是 Crucial® Advisor™ 工具系統掃描器工具  顯示為相容的記憶體 ,就能確保使用的記憶體與系統相容。除非是您選購了高效能 Ballistix® 產品,以打造自訂的系統。部分 CPU 支援的記憶體速度和延遲有所限制,最好在選購任何高階記憶體之前,事先檢查您 CPU 支援的最大記憶體速度。 若有任何其他問題,請聯絡 Crucial 支援

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