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Crucial DDR4 伺服器記憶體

速度更快、頻寬更高、效率更好。

DDR4 記憶體的未來新趨勢!

克服伺服器的最大限制之一:記憶體。從網際網路、雲端運算、虛擬化到 HPC、還有大數據等趨勢以來,記憶體的伺服器應用程式需要越來越高的記憶體密度,以及更高的效能水準,遠遠超過目前 DDR3 技術所能達到的程度。接入 Crucial® DDR4 伺服器記憶體。

2 倍速度

處理資料更快速,以及提供高達 17 GB/s 的雙倍記憶體頻寬。與 DDR3 的 1066 MT/s 入門級速率相比,Crucial DDR4 記憶體的入門資料速率從 2133 MT/s 起跳,並且會隨著技術進步而變得更快。Crucial DDR4 內存還提供更快的爆發存取速度,藉由利用 DDR4 技術獨有的四通道內存架構,提高了連續數據吞吐量。

2 倍容量

透過將記憶體容量翻倍來最大化系統效能。隨著 DDR4 記憶體技術的進步,它能將您的伺服器記憶體容量翻倍,同時更充分地利用每個模組,以及您的整個網路。Crucial DDR4 記憶體採用先進技術,使每個組件能容納更多 GB,更高密度的組件設計,使我們能夠提供密度高達兩倍的 DDR4 模組。

能源效率最多可提升 40%

減少電力和冷卻費用。Crucial DDR4 記憶體使用的電壓比 DDR3 還要低 20%,而且與標準 DDR3 伺服器記憶體的 1.5V 相比,它只需 1.2V 即可運作。結合 DDR4 記憶體架構的附加節能特徵,Crucial DDR4 記憶體與標準 DDR3 技術相比可節省高達 40% 的能源。而且,由於每個模組產生的熱量更少,保持系統冷卻更簡單。

增強雲端運算、大數據、HPC 等

對於依賴記憶體的伺服器應用程式,如虛擬化、雲端運算、大數據和 HPC,Crucial DDR4 伺服器記憶體是一種能增加記憶體頻寬和容量,同時也能降低電費的理想方案。由於記憶體通常是作為固定(非共用)元件,因此它是資料中心效能的最大限制之一。最大化 DDR4 記憶體容量,並實現嶄新一代效能與效率。Crucial DDR4 記憶體已針對 Intel® Xeon® 處理器 E5-2600 v3 產品系列最佳化,可讓您輕鬆處理各種類型的企業工作。

DDR4 Crucial 伺服器記憶體簡介

ECC UDIMM

RDIMM / VLP RDIMM

LRDIMM

應用程式/伺服器市場區隔

網站代管
數位內容創作
微型辦公室伺服器
專屬伺服器

HPC
雲端計算
虛擬化
財務分析

大數據
記憶體內部資料庫
生命科學
氣候模擬

優勢

最佳經濟效益
最完整的基本模組類型
低延遲與電力消耗
有限密度

最大供貨量與穩定供應能力
更高密度
最小幅度增長的電力消耗與延遲

最大伺服器容量
秩數降轉(Rank multiplication)
最高密度

模組規格

4GB、8GB 與 16GB 密度2
1.2V 時為 2133MT/s
ECC SODIMM 可用(微型伺服器)

4GB - 128GB 密度2 (RDIMM)
8GB - 64GB 密度2 (VLP RDIMM)
1.2V 時為 2133MT/s
單面、雙面、四面、八面

16GB - 128GB 密度2
1.2V 時為 2133MT/s
四面、八面

DDR3 與 DDR4

效能/選項

DDR3

DDR4

DDR4 優勢

電壓(核心和 I/O)

1.5V

1.2V

降低記憶體的電力需求

低電壓標準

支援
(DDR3L 為 1.35V)

預期
(為 1.05V)

降低記憶體耗能

資料速率(Mb/s)

800、1066、1333、1600、1866、2133

1600、1866、2133、2400、2667、32002

移轉至更高速的 I/O

元件密度

512MB-8GB

2GB-16GB2

更能實現大容量記憶體子系統的需求

模組密度

512MB-64GB

2GB-128GB2

提升每個系統的全模組密度

內部記憶庫

8

16

更多記憶庫

Crucial DDR4 伺服器記憶體2

產品編號

模組類型

密度

速度

Rank

電壓

元件組態

CAS 延遲

CT8G4TFD8213

ECC SODIMM 260-pin

8GB

2133MT/s

雙面

1.2V

512M x 8

CL15

CT4G4WFS8213

ECC UDIMM 288-pin

4GB

2133MT/s

單面

1.2V

512M x 8

CL15

CT8G4WFD8213

ECC UDIMM 288-pin

8GB

2133MT/s

雙面

1.2V

512M x 8

CL15

CT4G4RFS8213

RDIMM 288-pin

4GB

2133MT/s

單面

1.2V

512M x 8

CL15

CT8G4RFS4213

RDIMM 288-pin

8GB

2133MT/s

單面

1.2V

1024M x 4

CL15

CT16G4RFD4213

RDIMM 288-pin

16GB

2133MT/s

雙面

1.2V

1024M x 4

CL15

CT32G4LFQ4213

LRDIMM 288-pin

32GB

2133MT/s

四面

1.2V

1024M x 4

CL15

CT8G4VFS4213

VLP RDIMM 288-pin

8GB

2133MT/s

單面

1.2V

1024M x 4

CL15

CT16G4VFD4213

VLP RDIMM 288-pin

16GB

2133MT/s

雙面

1.2V

1024M x 4

CL15

  1. 終身有限保固適用於全世界各個國家/地區,但德國與法國除外(保固期限為購買日期後十年)。注意:比較 DDR3 和 DDR4 產品問世時的記憶體技術後,可發現在效能和效率上有明顯改善。DDR3-1066 所需電壓為 1.5V,估計元件密度為 8Gb;相較之下,DDR4-2133 所需電壓為 1.2V,估計元件密度為 16Gb。考慮到電壓下降以及 DDR4 的所有其他節能特徵,DDR4 模組預計能減少高達 40% 的電力消耗。
  2. 注意:並非所有表列之密度與速度皆於發布時即可供應。DDR4 密度與速度將隨著 DDR4 技術漸趨成熟後增加。
  3. 若您使用我們的相容性工具

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