Filter by:

RAM 速度與 CAS 延遲之間的差異

記憶體(DRAM)效能的重點就是速度與延遲間的關係。這兩者雖有密切相關,但可能並非以您所想的方式相互連結。以技術層面而言,下面提供了速度與延遲之間的關聯性。您可以利用這些資訊將您記憶體效能最佳化。

如果您想知道電腦需要多少記憶體,請參閱這裡

關於延遲的認知與真相

認知

•許多使用者相信 CAS 延遲是現實中延遲效能的準確指標
•許多使用者同時相信,由於速度提升的同時會伴隨著 CAS 延遲增加,因此一部分速度提升的效果就被抵銷了

真相

•而半導體工程師就會知道,CAS 延遲並不是精確的效能指標

•延遲最好以奈秒為單位表示
•在速度提升同時,延遲降低或大致維持不變,即代表更快的速度可提供更佳的效能

延遲在認知與真相之間的差距,歸結於延遲的定義與測量方式。

兩台賽車表示記憶體速度與 CAS 延遲

延遲悖論

由於產品傳單和規格對照表上常以 CAS 延遲(CL)表示延遲而造成誤解,事實上這只是公式的其中一半。由於 CL 評級僅表示時脈週期的總數量,而與每個時脈週期的持續時間無關,因此不該被推論成判定延遲效能的唯一指標。

不過,如果能夠以奈秒檢視一個模組的延遲情形,這樣是最可以判斷它相較於其他模組是否回應能力更佳的方式。若要計算模組延遲,請將時脈週期長度乘上時脈週期總數量。這些數字將會以正式的工程紀錄出現在模組的資料表上。以下為計算範例。

技術

模組速度(MT/s)

週期時間(ns)

CAS 延遲

延遲(ns)

SDR

100

8.00

3

24.00

SDR

133

7.50

3

22.50

DDR

335

6.00

2.5

15.00

DDR

400

5.00

3

15.00

DDR2

667

3.00

5

15.00

DDR2

800

2.50

6

15.00

DDR3

1333

1.50

9

13.50

DDR3

1600

1.25

11

13.75

DDR4

1866

1.07

13

13.93

DDR4

2133

0.94

15

14.06

DDR4

2400

0.83

17

14.17

DDR4

2666

0.75

18

13.50

什麼是延遲,以及延遲計算公式?

基本上,延遲就是指令輸入到執行之間的時間差距。延遲即這兩項活動之間的間隔。當記憶體控制器告訴記憶體存取特定位置時,資料必須穿過一系列欄位址選通(CAS)內的時脈週期,才能抵達指定位置並完成指令。在這裡有兩項變數可決定模組的延遲:

•資料必須通過的時脈週期總數量(以 CAS 延遲量測,或是資料表中的 CL)
•每個時脈週期的長度(以奈秒表示)

結合這兩項變數,即能獲得延遲計算公式:

延遲(ns) = 時脈週期時間 (ns) x 時脈週期數量

在記憶體技術沿革中,隨著速度提升,時脈週期時間下降,造成即使有更多待完成的時脈週期,延遲仍因技術成熟而下降。由於速度上升且延遲大致維持相同,您將獲得更高一階的效能,使用更新、更快、且更節能的記憶體。

在這邊再次強調,當我們提到「延遲大致維持相同」時,這是一個明確的描述。舉例來說,從 DDR3-1333 到 DDR4-2666,延遲開始於 13.5ns 並恢復到 13.5ns。雖然在此範圍內的確有幾個延遲上升的情況,但變化幅度僅不到一奈秒。而在相同範圍內速度上升超過 1,300 MT/s,能有效抵銷任何延遲的增加。

哪一個更重要:速度或延遲?

根據在 Crucial 效能實驗室深度工程分析與延伸測試的結果,此大哉問的答案是速度。整體來說,當速度提升而延遲大致維持不變時,代表更快的速度能帶來更高一階的效能。深入瞭解記憶體與其他元件間的相容性。

透過安裝最大限度的記憶體來最佳化您的電腦,您可以選擇最新的記憶體技術,並依照您所使用的程式來選擇相符而經濟實惠的模組速度。

 


©2018 Micron Technology, Inc. 保留所有權利。資訊、產品和/或規格若有變動恕不另行通知。Crucial 或 Micron Technology, Inc. 對於排版或影像的疏失或錯誤概不負責。Micron、Micron 標誌、Crucial 與 Crucial 標誌皆為 Micron Technology, Inc. 的商標或註冊商標。所有其他商標和服務標誌皆為其各自擁有者的財產。